Semi-conducteurs. Page 181 sur 485. Avtronic

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Affichage 21 articles: IRFP460 à IRFR3709Z (Page 181 sur 485)

Transistor IRFP460

10.81€ TTC

99 En stock

Transistor IRFP460 N-MOS 500V 20A 280W <0.27R(13A). HEXFET Power MOSFET. High Efficiency Synchronous R. Idm: 80A(pulsed). td(on)18nS. td(off)110nS. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 20 A.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP460C

12.32€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IRFP460C N-MOS 500V 20A 235W <0.2R(12.5A). HEXFET Power MOSFET. Idm: 80A(pulsed). td(on)50nS. td(off)380nS. Constructeur: Fairchild. Boîtier: TO-3PN. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 20 A.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP4668

30.74€ TTC

68 En stock

Transistor IRFP4668 N-MOS 200V 130A 520W 0.008R(92A). HEXFET Power MOSFET. High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 130 A.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP4710

9.18€ TTC

21 En stock

Transistor IRFP4710 N-MOS 100V 72A 190W<0.014R(51A). HEXFET TO247. Power-MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: HighFrequency. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 72 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 51 A. Rds (Ohms): 0.014.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP90N20D

17.98€ TTC

46 En stock

Transistor IRFP90N20D N-MOS 200V 94A 580W<0.023R(66A). HEXFET Power MOSFET. SMPS MOSFET. HighFrequenc. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 94 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 66 A.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP9140N

5.94€ TTC

6 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -100V. Courant de drain maxi: -23A. Puissance: 140W. Résistance passante (Rds)<0.117 Ohm. Boîtier: TO-247AC.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFP9240

6.33€ TTC

80 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -200V. Courant de drain maxi: -12A. Puissance: 150W. Résistance passante (Rds): 0.57 Ohm. Paire: IRFP240. Boîtier: TO-247AC.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFPC50

11.37€ TTC

19 En stock

Transistor IRFPC50 N-MOS 600V 10A 180W <0.6R (6A). V-MOS-L. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 10 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 6 A. Rds (Ohms): 0.6. Puissance: 180 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRFPC60

12.32€ TTC

22 En stock

Transistor IRFPC60 N-MOS 600V 16A 250W <0.4R (6A). V-MOS-L. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 16 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 6 A. Rds (Ohms): 0.4. Puissance: 250 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRFPE40

10.19€ TTC

33 En stock

Transistor IRFPE40 N-MOS 800V 5.4A 150W <2R(3.2A). HEXFET Power MOSFET. ORION TV. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5.4 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3.2 A. Rds (Ohms): 2. Puissance: 150W

Tarifs dégressifs

Transistor IRFPE50

12.49€ TTC

127 En stock

Transistor IRFPE50 N-MOS 800V 7.8A 190W 1.2R(4.7A. V-MOS L. MOS-N-FET e. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7.8 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 4.7 A. Rds (Ohms): 1.2. Puissance: 190 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRFPF40

11.54€ TTC

49 En stock

Transistor IRFPF40 N-MOS 900V 4.7A IDp:19A 150W 2.5R(3A). V-MOS L. <63/214nS. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4.7 A

Tarifs dégressifs

Transistor IRFPF50

13.78€ TTC

63 En stock

Transistor IRFPF50 N-MOS 900V 6.7A 190W <1.6R(4A). V-MOS L. <63/214nS. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.7 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 4 A. Rds (Ohms): 1.6. Puissance: 190 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRFPG50

14.90€ TTC

52 En stock

Transistor IRFPG50 N-MOS 1000V 6.1A 190W<2R(3.9A). HEXFET. Fast Switch. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 1000 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.1 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3.9 A. Rds (Ohms): 2. Puissance: 190 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRFPS37N50A

26.66€ TTC

45 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 500V 36A. Référence d'origine constructeur: IRFPS37N50APbF. Boîtier: SUPER247. Vds(max): 500V. Id(@25ºC): 36A. Puissance: 180W. Résistance Rds: 0.13 Ohms.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFR024N

2.69€ TTC

158 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 55V. Courant de Drain maxi: 16A. Puissance: 38W. Rds: 0.075 Ohm. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-PAK TO-252AA.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFR110

2.69€ TTC

120 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 100V. Courant de Drain maxi: 4.3A. Puissance: 25W. Rds<0.54 Ohm. Boîtier: D-PAK TO-252AA.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFR1205

3.19€ TTC

102 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 55V. Courant de Drain maxi: 44A. Puissance: 107W. Rds<0.027 Ohm. Boîtier: D-PAK TO-252AA.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFR320

3.70€ TTC

57 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 400V. Courant de Drain maxi: 3.1A. Puissance: 42W. Rds<1.8 Ohms. HEXFET. Boîtier: D-PAK TO-252AA.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFR3505

4.48€ TTC

22 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 55V 71A. Référence d'origine constructeur: IRFR3505PBF. Boîtier: D-PAK TO-252AA. Vds(max): 55V. Id(@25ºC): 71A. Puissance: 140W. Résistance Rds: 0.011 Ohms. HEXFET Power MOSFET. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +175°C.

Tarifs dégressifs

Transistor IRFR3709Z

3.58€ TTC

84 En stock

Transistor MOSFET canal N CMS 30V 86A/340Ap 79W 0.0052R (61A)

Tarifs dégressifs

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Transistor IRFP460

Transistor IRFP460 N-MOS 500V 20A 280W <0.27R(13A). HEXFET Power MOSFET. High Efficiency Synchronous R. Idm: 80A(pulsed). td(on)18nS. td(off)110nS. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 20 A.

Transistor IRFP460C

Transistor IRFP460C N-MOS 500V 20A 235W <0.2R(12.5A). HEXFET Power MOSFET. Idm: 80A(pulsed). td(on)50nS. td(off)380nS. Constructeur: Fairchild. Boîtier: TO-3PN. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 20 A.

Transistor IRFP4668

Transistor IRFP4668 N-MOS 200V 130A 520W 0.008R(92A). HEXFET Power MOSFET. High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 130 A.

Transistor IRFP4710

Transistor IRFP4710 N-MOS 100V 72A 190W<0.014R(51A). HEXFET TO247. Power-MOSFET. Constructeur: IR. Boîtier: HighFrequency. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 72 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 51 A. Rds (Ohms): 0.014.

Transistor IRFP90N20D

Transistor IRFP90N20D N-MOS 200V 94A 580W<0.023R(66A). HEXFET Power MOSFET. SMPS MOSFET. HighFrequenc. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 94 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 66 A.

Transistor IRFP9140N

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -100V. Courant de drain maxi: -23A. Puissance: 140W. Résistance passante (Rds)<0.117 Ohm. Boîtier: TO-247AC.

Transistor IRFP9240

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -200V. Courant de drain maxi: -12A. Puissance: 150W. Résistance passante (Rds): 0.57 Ohm. Paire: IRFP240. Boîtier: TO-247AC.

Transistor IRFPC50

Transistor IRFPC50 N-MOS 600V 10A 180W <0.6R (6A). V-MOS-L. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 10 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 6 A. Rds (Ohms): 0.6. Puissance: 180 W

Transistor IRFPC60

Transistor IRFPC60 N-MOS 600V 16A 250W <0.4R (6A). V-MOS-L. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 16 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 6 A. Rds (Ohms): 0.4. Puissance: 250 W

Transistor IRFPE40

Transistor IRFPE40 N-MOS 800V 5.4A 150W <2R(3.2A). HEXFET Power MOSFET. ORION TV. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5.4 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3.2 A. Rds (Ohms): 2. Puissance: 150W

Transistor IRFPE50

Transistor IRFPE50 N-MOS 800V 7.8A 190W 1.2R(4.7A. V-MOS L. MOS-N-FET e. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7.8 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 4.7 A. Rds (Ohms): 1.2. Puissance: 190 W

Transistor IRFPF40

Transistor IRFPF40 N-MOS 900V 4.7A IDp:19A 150W 2.5R(3A). V-MOS L. <63/214nS. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4.7 A

Transistor IRFPF50

Transistor IRFPF50 N-MOS 900V 6.7A 190W <1.6R(4A). V-MOS L. <63/214nS. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.7 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 4 A. Rds (Ohms): 1.6. Puissance: 190 W

Transistor IRFPG50

Transistor IRFPG50 N-MOS 1000V 6.1A 190W<2R(3.9A). HEXFET. Fast Switch. Constructeur: IR. Boîtier: TO-247AC. Tension de Drain maxi: 1000 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.1 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3.9 A. Rds (Ohms): 2. Puissance: 190 W

Transistor IRFPS37N50A

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 500V 36A. Référence d'origine constructeur: IRFPS37N50APbF. Boîtier: SUPER247. Vds(max): 500V. Id(@25ºC): 36A. Puissance: 180W. Résistance Rds: 0.13 Ohms.

Transistor IRFR024N

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 55V. Courant de Drain maxi: 16A. Puissance: 38W. Rds: 0.075 Ohm. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-PAK TO-252AA.

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Transistor IRFR1205

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Transistor IRFR3709Z

Transistor MOSFET canal N CMS 30V 86A/340Ap 79W 0.0052R (61A)

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